🇺🇸 Технологии упаковки. EMIB-T. США

Intel представляет расширенную упаковку EMIB-T для HBM4 и UCle

На этой неделе на конференции по технологиям электронных компонентов (ECTC) компания Intel представила EMIB-T – обновление многокристальной упаковки, в которой кремниевый мост встроен в подложку. Основные нововведения:

🔹сквозные кремниевые перехода TSV, которые упрощают подачу питания с обратной стороны микросхемы и увеличивают скорости обмена сигналами между чиплетами – в стандартных EMIB были проблемы из-за перепадов напряжения из-за консольного способа раздачи питания;

🔹интеграция мощных конденсаторов металл-изолятор-металл (MIM), повышающих целостность сигналов и стабильность их передачи;

🔹возможность создания микросхем большого размера – поддерживается 38 мостов и более, и свыше 12 кристаллов в едином корпусе.

Новая упаковка совместима как с органическими, так и с перспективными стеклянными подложками.

Технология особенно важна для работы с памятью следующих поколений HBM4/4e и интерфейсом, обеспечивая скорость передачи данных до 32 Гбит/с и выше «на контакт» по интерфейсу UCIe.

В Intel обещают, что уже первые реализации EMIB-T обеспечат энергоэффективность порядка 0.25 пДж/бит, но с более высокой плотностью межсоединений. Если EMIB обеспечивала шаг выступов 55 мкм, в EMIB-Т шаг уменьшен до 45 микрон, есть планы перевода технологии на 35 мкм, в разработке 25 мкм.

Начиная с 2026 года в Intel планируют собирать пакеты на основе EMIB размером 120х120 мм. Подложки такого размера могут интегрировать до 12 стеков памяти HBM, а также несколько вычислительных чиплетов, все из которых соединены более, чем 20 мостами EMIB.

В дальнейшем Intel рассчитывает увеличить размеры корпусов до 120 х 180 мм к 2028 году. Такие конструкции смогут вместить более 24 стеков памяти, 8 вычислительных чиплетов и 38 или более моста EMIB.

В TSMC разрабатывают нечто весьма похожее, но как развитие упаковки CoWoS. (..)